惠盛HS-FQ-01恶臭废气处理设备

采用标准
大气污染物综合排放标准                     GB16297-2012
恶臭污染物排放标准                         GB 14554-93
固定源废气监测技术规范                     HJ/T397-2007 
大气污染物综合排放标准                     GB16297-2012
环境空气质量标准                           GB3095-2012
工业企业厂界环境噪声排放标准               GB12348-2008 
工业企业噪声控制设计规范                   GB/T50087-2013 
工业企业设计卫生标准                       GBZ1-2010
2.6 安全操作和人身防护
工作场所有害因素职业接触限值化学有害因素     GBZ2-2007
安全防范工程程序与要求      
半导体的能带结构通常是由一个充满电子的低能价带和一个空的高能价带构成，它们之间的区域成为禁带，禁带是一个不连续区域。党能量大于或等于半导体带隙能的光波辐射次半导体催化剂时，处于价带的电子就会被激发到导带上，价带生成空穴（h+），从而在半导体表面产生具有高度活性的空穴/电子对。
TiO2的带隙能为3.2ev，相当于波长387.5nm光子的能量，当TiO2受到波长小于387.5nm的紫外光照射时，处于价带的电子会被激发到导带上，从而分别在价带和导带上产生高活性的光剩空穴和光生电子。在电场的作用下，电子与空穴发生分离，迁移到粒子表面的不同位置。热力学理论表明，分布在TiO2表面的空穴可以将固体表面的电子受体如O2被还原。O2既可以抑制光催化剂上电子和空穴的复合，提高反应效率，同时也是氧化剂，可以氧化已经羟基化的反应产物，是表面羟基自由基的另一个来源。缔合在Ti4+表面的•OH的氧化能力较强，能氧化大部分**污染物及部分无机污染物，将其较终降解为CO2、H2O等无害物质，并且对反应物几乎无选择性，因而在光催化氧化中起着决定性的作用。
污染物分子由引风机引入光催化区，大体要经历紫外线光解、臭氧氧化、电子轰击、强氧化剂-OH、正氧离子氧化等结构，从结构空间上讲，污染物依次经过光触媒催化区、紫外灯光解区、光触媒催化区、氧化区，设计停留时间2s，双层催化剂结构不但保证了催化比表面积，同时发挥了均布导流的高能，在有限的空间较大限度保证空间上和紫外线无极灯的充分接触，增加和提高活性粒子和污染物的接触机会和时间。
由于废气中的成分多样，光催化氧化区域主要氧化非甲烷总烃，形成二氧化碳、水以及对应的氧化产物。